Новини

Індекс Strait Times у Східноазіатському часовому поясі закрився з підвищенням на 0,2% і склав 5204,01 пункту.

```htmlГоловна інформаційна агенція 22 червня повідомляє, що Samsung Electronics нещодавно провела триденну щорічну глобальну стратегічну зустріч під керівництвом віце‐голови Samsung Electronics Чон Йонхена, на якій основною темою було обговорення розширення продажів HBM (високошвидкісної пам’яті). Підрозділ Device Solutions Samsung Electronics обговорював постачання HBM3E для різних клієнтів, а також наступне покоління HBM4 та HBM4E, заявивши, що цього року компанія планує застосувати більш агресивну стратегію продажу, щоб повернути собі першу позицію на ринку DRAM. Під час зустрічі Samsung Electronics також перевірив стратегію укладання довгострокових контрактів із великими технологічними компаніями, яку компанія просуває з початку року. Через тривале дефіциту пам’яті основні клієнти пропонують укладати довгострокові контракти для забезпечення стабільного постачання, і Samsung Electronics сподівається таким чином підвищити стабільність бізнесу та прогнозованість попиту.```

BlockBeats News, 22 червня, JF Securities заявила, що глобальні ціни на напівпровідникові чіпи можуть зрости значно вище, ніж очікують ринки. Причина полягає в тому, що гіганти хмарних обчислень завчасно забезпечили виробничі потужності, попит на сервери для AI невпинно зростає, а провідні виробники чіпів не проявляють готовності суттєво збільшувати виробництво. У глобальному звіті про технологічну індустрію, опублікованому 21 червня, JF Securities цитувала експертів галузі напівпровідників, які прогнозують, що ціни на пам’ять у третьому кварталі 2026 року можуть зрости на 40%–50% квартал до кварталу, а в четвертому кварталі додатково ще на 30%–40%. Цей прогноз значно перевищує очікування європейських та американських інвесторів (15%–20%) й свіжі дані від деяких азійських ланцюгів постачання. Звіт зазначає, що без врахування китайських виробників, глобальне постачання бітів пам’яті очікується зросте лише на 7%–8% у 2026 році, головно за рахунок переходу на нові технологічні процеси, а не завдяки додатковому виробничому потужності пластин. Сумарний дефіцит DRAM та NAND може досягати 150 000 – 200 000 пластин на місяць. Через відсутність помітного зростання потужностей у 2027 році дефіцит може зберігатися. Попит на AI є основним драйвером цього циклу пам’яті. Звіт вказує, що постачальники хмарних сервісів уклали з виробниками чіпів дворічні довгострокові контракти, сплативши авансом близько 40%. Ці довгострокові угоди наразі займають близько 50% потужностей індустрії, і в майбутньому ця частка може зрости до 70%. На відміну від них, виробники споживчої електроніки мають труднощі у отриманні аналогічних угод і можуть зіткнутися з більшим тиском на ціни і забезпечення постачання у 2026–2027 роках. HBM досі в дефіциті. JF Securities посилається на оцінки експертів, що потужності індустрії HBM складають близько 330 000 пластин на місяць, і можуть збільшитися до 480 000 пластин до 2027 року. Додаткові потужності стримають зростання цін на HBM у найближчі 12 місяців, але підвищення все одно може сягати приблизно 70%. Звіт також вважає, що китайські виробники чіпів у короткостроковій перспективі не становлять загрози для цього бичачого ринку. Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) відстає від провідних світових виробників на близько 1,5–2 покоління в технології DRAM. Відсутність можливостей EUV ускладнює модернізацію до DDR6 чи HBM3E у короткостроковій перспективі. Розширення китайських виробників у 2026–2027 роках головно впливає на низький сегмент ринку. Водночас звіт зазначає, що китайська технологія NAND може отримати більшу конкурентоспроможність на світовому рівні до 2028 року. JF Securities попередила, що 2028 рік може стати точкою циклічного ризику. Якщо світові потужності пластин зростуть на 15%–20% і попит на AI сповільниться, ціни на пам'ять можуть різко впасти. Проте у 2026–2027 роках індустрія пам’яті може зберігати сильну цінову владу, особливо на тлі забезпечення запасу хмарними провайдерами й обмеження постачання для споживчої електроніки.